因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。
随着栅的宽度不断减少，栅结构（源漏间的硅区域）下的沟道长度也不断减少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并引起了不希望的沟道漏电流。
（简答题）
为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
为什么层状结构的晶体非常容易发生多型现象？
（简答题）
不同晶体之间形成规则连生（浮生或交生）的内部结构因素是什么？
（单选题）
当界面两侧的晶体具有非常相似的结构和类似的取向，越过界面原子面是连续的，这样的界面称为（）。
（单选题）
直径约20mm的连杆螺栓是内燃机中的关键部件，要求综合力学性能非常高，比较合适的选材和热处理工艺是（）。
（单选题）
按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。
（填空题）
不同晶体之间能够形成规则连生(浮生或交生)的内部结构因素是取决于（）。
（简答题）
什么是空间点阵？它与晶体结构有什么不同？它能确定一个晶体结构的什么特性而忽略了晶体结构的什么特性？
（单选题）
磁光存储的研究是Williams等在1957年使Mn和Bi形成的晶体薄膜磁化并用光读取之后开始的。右图是Mn和Bi形成的某种晶体的结构示意图，则该晶体物质的化学式可表示为（）
（单选题）
凡组成相同，结构相同而趋向不同的晶体间形成的接触面为（）
