①逐区：
生长方法：熔区被限制在一狭窄范围内，熔区向多晶原料方向移动，生长靠晶体长大和多晶原料消耗实现。
特点：体系由晶体、熔体、多晶组成，有2个固熔界面：一个结晶，一个融化。
优点：污染少，纯度高。
应用：半导体材料，硅单晶，宝石等的生产，高纯而完整的单晶硅。
②泡生：
生长方法：受冷籽晶与熔体接触，界面温度低于熔点，籽晶开始生长，降低熔体温度，晶体不断长大。
特点：晶体生长不与坩埚接触，压力减少。
（简答题）
逐区熔化法和泡生法的生长方法，特点，优缺点，应用各是什么？
正确答案
答案解析
略
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