（判断题）
发射极处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
为了保证晶体管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区（）厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。
（单选题）
为了保证三极管的电流放大．一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。
（单选题）
为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。
（填空题）
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
（填空题）
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
（单选题）
晶体管工作在放大区时，发射结处于（）。
（单选题）
晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。
（单选题）
晶体三极管截止的条件是（NPN型）（）。
（单选题）
晶体三极管饱和导通的条件是（）。
