（单选题）
下面选项中（）为工作在饱和区的锗材料PNP管。
AUBE=-0.2V，UCE=-0.1V
BUBE=-0.2V，UCE=-4V
CUBE=0V，UCE=-4V
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）
（判断题）
从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。
（简答题）
掺有浓度为每立方米为1.5×1023砷原子和立方米5×1022铟的锗材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。
（填空题）
PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位（）。
（简答题）
简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
（判断题）
只要电路中有工作在非线性区的元件，能进行频率变换的电路为非线性电路。
（填空题）
当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
（单选题）
当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。
（判断题）
光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后，在PN结上产生电动势的效应。
