（单选题）

下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是（）。

ANa⁺、Cl^ˉ、K⁺，尤其是K⁺

BK⁺、Cl⁺，尤其是Cl^ˉ

CNa⁺、K⁺，尤其是Na⁺

DCa²⁺、K⁺、Cl^ˉ，尤其是Ca²⁺

EK⁺、Ca²⁺、Na⁺，尤其是Ca²⁺

正确答案

来源：www.examk.com

答案解析

IPSP的形成还可能与突触后膜K⁺通道的开放或Na⁺通道和Ca²⁺ 通道的关闭有关。

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（单选题）
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。
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（单选题）
突触后抑制时，下列不会出现的是（）。
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（单选题）
兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。
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（单选题）
抑制性突触后电位能抑制运动神经元是因为（）。
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（单选题）
突触前抑制的特点是（）。
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（单选题）
突触前抑制的发生是由于（）。
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（单选题）
关于非突触性化学传递的叙述，错误的是（）。
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（单选题）
下列对电突触的叙述，错误的是（）。
答案解析

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