（多选题）
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。
A电压控制型
B电流控制型
C单极型
D双极型
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？
（多选题）
高频开关电源中，常用的电力电子器件为：（）
（填空题）
电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为：（）、（）、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
（单选题）
电力电子器件是电力电子技术的（）。
（多选题）
电力电子器件是处理电能主电路的主要器件，普遍具有（）等特点。
（单选题）
器件在高频工作情况下，电力电子器件的损耗主要是（）损耗
（填空题）
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为（）和（）两类。
（单选题）
下列电力电子器件不可控的是（）。
（单选题）
（）是电流控制型电力电子器件。
