试述兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位作用及原理？

（1）EPSP：突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。
原理：兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，使递质门控通道开放，后膜对Na⁺和K⁺的通透性增大，并且由于Na⁺的内流大于K+外流，故发生净内向电流，导致细胞膜的局部去极化。
（2）IPSP：突触后膜在某种神经递质下产生局部超极化电位变化。
原理：抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突出后膜，使后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，结果使突出后膜发生超极化。
作用：突出后膜上电位改变的总趋势决定于EPSP和IPSP的代数和。

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