（简答题）
叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。
正确答案
在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。化学方程式如下： 
答案解析
略
相似试题
（简答题）
下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
（判断题）
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
（简答题）
什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的问题？
（简答题）
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
（填空题）
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
（多选题）
硅外延片的应用包括（）。
（填空题）
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
（多选题）
硅外延生长工艺包括（）。
（简答题）
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
