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(单选题)

测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。

A试品电容量较大,影响较小

B试品电容量较大,影响较大

C与试品电容量无关

正确答案

来源:www.examk.com

答案解析

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  • (判断题)

    当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

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  • (单选题)

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  • (判断题)

    在相同条件下,用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

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  • (判断题)

    用反接线方式,测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ,如介损仪本体接地不良,与其介损测量结果无关。

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