（单选题）
在成核-生长区。如果单相液体不存在界面，则形成新相核的界面必须消耗功。此功大小随界面能的增加而（），随过冷度的增加而（）。
A增大；增大
B增大；不变
C增大；减小
D不变；减小
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
高分子合金出现相分离时，如果扩散是由低浓度向高浓度扩散，则相分离机理为（）机理；如果相分离过程中相区浓度保持不变，则分离机理为成核生长机理。
（单选题）
如果成核速率和生长速率u的极大值相隔比较远，则容易形成：（）
（单选题）
在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（）。
（简答题）
在硅酸盐熔体析晶的成核速率、生长速率随T变化的关系图中，标出哪一条曲线代表成核速率，哪一条曲线代表生长速率？为什么？
（填空题）
成分过冷的过冷度在生长着的固-液界面处最小，离开界面逐渐（），因此界面很不稳定。
（简答题）
为什么在成核一生长机理相变中，要有一点过冷或过热才能发生相变？什么情况下需过冷，什么情况下需过热？
（单选题）
固液界面前沿液相的流动会影响柱状树枝晶的生长方向，那么柱状树枝晶通常向液体流动方向的（）方向倾斜。 ①相同 ②相反 ③垂直
（简答题）
说明斯宾那多分解相变和成核-生长相变的主要区别？
（单选题）
固液界面前沿液相的流动会影响柱状树枝晶的生长方向，那么柱状树枝晶通常向液体流动方向的（）方向倾斜。 ①相同 ②相反 ③垂直
