DRAM的基本存储电路采用4管型、3管型和单管型，单管型因集成度高而被广泛使用。DRAM的信息以电荷形式存于MOS管的极间电容上，由于电容泄漏电流的存在，电荷流失因而导致信息消失，为此必须每隔一定时间（2-8MS）以内进行刷新，DRAM的基本存储单元简单，故集成度高功耗小。但RAM的周期性刷新工作需要外部电路的支持。
DRAM一般用于组成大容量、高速的RAM存储器，S.RAM基本存储单元由6只MOS管组成。这种存储电路的读出是非破坏性的，数据读出后原单元信息仍保持不变。不需另加刷新，简化了外部电路。由于SRAM基本存储电路所含管子数目多因而集成度略低，多选用在小系统计算机中。
（简答题）
简述SRAM和DRAM的各自特点。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
半导体存储器有哪些优点？SRAM、DRAM各自有何特点？
（简答题）
何为SRAM，何为DRAM？它们在使用上有何特点？两者有何区别？各自的使用场合是什么？
（简答题）
说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。
（简答题）
试述DRAM的工作特点；与SRAM相比有什么长处和不足之处；说明它的使用场合。
（简答题）
试述DRAM的工作特点；与SRAM相比有什么长处和不足之处；说明它的使用场合。
（单选题）
跟DRAM相比，SRAM的特点是（）
（单选题）
以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）
（单选题）
以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）
（简答题）
试比较SRAM和DRAM的优缺点。
