（单选题）
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A越高
B不确定
C越低
D不变
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
（填空题）
（）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。
（简答题）
试证明霍耳电场强度与稳恒电场强度之比,这里ρ 为材料电阻率，n 为载流子的数密度．
（判断题）
磁场能量密度（即单位体积的能量），与产生该磁场的载流导体的形状、大小有关。
（简答题）
试证明霍耳电场强度与稳恒电场强度之比EH/EC=B/nep，这里ρ为材料电阻率，n为载流子的数密度．
（填空题）
在半导体材料中，载流子散射主要有两方面的原因：（）和（）（）。
（简答题）
半导体材料的载流子是什么？若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素，形成何种类型半导体？五价？
（单选题）
如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
（单选题）
一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
