（简答题）
在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求： （1）热运动速度平均值 （2）平均自由时间 （3）平均自由路程 （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每106个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×1022cm-3，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μn=3600cm2/V·s， 且认为不随掺杂而变化。ni=2.5×1013cm3。
（简答题）
（1）试证明在室温下，当半导体的电子浓度时，其电导率为最小值，求在上述条件下的空穴浓度。 （2）当ni=2.5×1013/cm3，μp=1900cm2/v˙s，μn=3800cm2/v˙s，求其本征电导率和电波电导率。 （3）当n0和p0为何值时，电导率等于本征电导率。
（判断题）
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
（判断题）
在磁感应强度一定的情况下，电子迁移率越低，磁阻效应越明显。
（填空题）
迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
