（题干）
本题共计 3 个问题
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
简答题
第 1 题
试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图，并标明半导体表面势VS的数值。
正确答案
答案解析
略
简答题
第 2 题
判断金属-半导体接触形成阻挡层还是反阻挡层。
正确答案
形成电子阻挡层。
答案解析
略
简答题
第 3 题
计算硅Si的功函数。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
Si样品中的施主浓度为4.5×1016cm-3，试计算300K时的电子浓度和空穴浓度各为多少？
（简答题）
计算含有施主杂质浓度为ND=9×1015cm-3，及受主杂质浓度为1.1×1016cm3，的硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
