(单选题)
硅的单键能为444kJ,那么硅属于()
A网络变形体
B玻璃网络形成体
C中间体
正确答案
答案解析
略
相似试题
(单选题)
单键强>335kJ/mol,这类氧化物属于。()
(简答题)
对某晶体的缺陷测定生成能为84KJ/mol,计算该晶体在1000K和1500K时的缺陷浓度。
(填空题)
本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV,它能吸收的辐射的最大波长为()。(普朗克恒量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.6×10-19J)
(简答题)
300nm的紫外线能否断裂C-H键(已知C-H的键能为344.8KJ/mol)?为什么说臭氧层是地球的“保护伞”?
(简答题)
已知硅的导带及其价带的有效态密度Nn,Np在室温(300K)时分别为2.8×1019cm-3,1.15×1019cm-3。试计算电子的有效质量mn及空穴的有效质量mp。已知h=6.63×10-34Js,kB=1.38×10-23J/K。
(简答题)
由Al2O3和SiO2粉末反应生成莫来石,过程由扩散控制,如何证明这一点?已知扩散活化能为209kJ/mol,1400℃下,1h完成10%,求1500℃下,1h和4h各完成多少?(应用杨德方程计算)
(简答题)
制造半导体元件时,常常需要测定硅片上的二氧化硅薄膜的厚度.可以将二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉,露出一个倾斜的劈尖膜.用波长为589.3nm的钠光垂直照射,观察到如图所示的条纹.已知硅的折射率为3.42,二氧化硅的折射率n=1.52,计算此氧化层的厚度d.
(单选题)
单键强
(单选题)
玻璃网络外体的单键能一般小于()