1气相成底膜：第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。
2旋转涂胶：完成底膜后，硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。
3软烘：光刻胶被涂到硅片表面后，必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。
4对准和曝光：掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。
5曝光后烘焙：对于深紫外（duv）光刻胶在100℃到110℃的热板上进行曝光后烘焙是必要的。
6显影：光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。
7坚膜烘焙：显影后的热烘指的就是坚膜烘焙，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。
8显影后检查：一旦光刻胶在硅片上形成图形，就要进行检查以确定光刻胶图形的质量。
（简答题）
列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
正确答案
答案解析
略
