（单选题）
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。
A满带中
B导带中
C禁带中，但接近满带顶
D禁带中，但接近导带底
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
（简答题）
以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
（判断题）
当温度达到一定时，P型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为耗竭。
（单选题）
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
（单选题）
晶体中大量原子集合在一起，原来相同的能级分裂为大量的与原来能级很接近的新能级，这些新能级所分布的能量范围称为（）
（简答题）
简述P型和N型半导体载流子的形成。
（填空题）
V族杂质在硅锗中电离，故放出电子产生导电导子形成正电中心，称为（），释放电子的过程称为（）。依靠（）的半导体称为n型半导体。
（填空题）
氢原子的部分能级跃迁示意如图。在这些能级跃迁中， （1）从n=（）的能级跃迁到n=（）的能级时所发射的光子的波长最短； （2）从n=（）的能级跃迁到n=（）的能级时所发射的光子的频率最小。
（填空题）
氢原子的部分能级跃迁示意如图。在这些能级跃迁中， （1）从n=（）的能级跃迁到n=（）的能级时发射的光子的波长最短； （2）从n=（）的能级跃迁到n=（）的能级时所发射的光子的频率最小。
