（单选题）
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
A大于
B等于
C小于
D有效的复合中心
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
硅与金刚石的能带结构相似，只是禁带宽度不同，金刚石的禁带宽度为5.33eV，硅的禁带宽度为1.14eV。试求它们能吸收辐射的最大波长各是多少？
（简答题）
以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
（填空题）
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（单选题）
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（单选题）
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（简答题）
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（简答题）
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（单选题）
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（简答题）
设电子在无限深势阱中运动，势阱为： 求波函数和束缚态能级。
