（简答题）
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
正确答案
重掺杂后杂质原子间出现轨道交叠，产生能级分裂，扩展为杂质能带，杂质能带中的电子可以在杂质原子间作共有化运动，杂质的电离能减小，杂质能带的带尾进入导带或价带，使电离能变为零，引起禁带变窄。
答案解析
略
相似试题
（名词解析）
禁带变窄
（单选题）
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
（名词解析）
半导体掺杂
（填空题）
掺杂半导体中影响电子电导率的主要因素是（）、（）、和（）。
（简答题）
试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
（简答题）
半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
（填空题）
当温度达到一定时，N型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为（）。
（判断题）
当温度达到一定时，P型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为耗竭。
（单选题）
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
