（判断题）
暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
（填空题）
气体扩散法是将含（）的气体在高温下向硅片进行扩散，形成（），一般都用这一方法。
（判断题）
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
（单选题）
在讨论氧传感器的作用时，技术人员甲说，氧传感器作用是用来监测排气管中氧气的浓度，因此所有能造成排气管中氧气浓度发生变化的因素都会造成氧传感器信号的改变；技术人员乙说，氧传感器的输出信号只与混合气的浓度有关，与其它因素无关。请问谁的说法正确？（）
（填空题）
氧气的化学性质（）活泼，在高温下可以和很多物质发生（）化学反应。
（单选题）
氧乙炔与火焰的碳化焰混合气中的氧气量（）乙炔量.
（单选题）
氧乙炔火焰的碳化焰混合气中的氧气量（）于乙炔量。
（判断题）
扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
（填空题）
进入废气中的氧气较少时，氧化钛式氧传感器的二氧化钛半导体阻值（）。
