（单选题）

兴奋性突触后电位是（）。

A动作电位

B静息电位

C阈电位

D局部电位

E负后电位

正确答案

来源：www.examk.com

答案解析

EPSP的形成机制是兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，配体门控通道（化学门控通道）开放，因此后膜对Na⁺和K⁺的通透性增大。由于Na⁺的内流大于K⁺的外流，故发生净的正离子内流，导致细胞膜的局部去极化。

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兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征是（）。
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兴奋性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为（）。
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关于突触后电位的特征，错误的叙述是（）。
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抑制性突触后电位能抑制运动神经元是因为（）。
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关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）。
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下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位，正确的是（）。
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刺激引起兴奋的基本条件是使跨膜电位达到（）。
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以下关于可兴奋细胞动作电位的描述，正确的是（）。
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