（简答题）
已知110kV电容式套管介损tgδ在20℃时的标准不大于1.5%，在电场干扰下，用倒相法进行两次测量，第一次R31＝796Ω，tgδ1＝4.3%，第二次R32＝1061Ω，-tgδ＝－2%，分流器为0.01档，试验时温度为30℃，试问这只套管是否合格？（30℃时tgδ换算至20℃时的换算系数为0.88）
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
（简答题）
画出使用QS1型西林电桥，采用末端屏蔽间接法测量110kV、220kV串级式电压互感器的支架介损tgδ和电容量C的接线图，并写出计算tgδ和C的公式。
（判断题）
测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
（判断题）
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
（单选题）
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
（单选题）
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
（简答题）
计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
（判断题）
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
（判断题）
当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
