优点：①电阻率更低；②电流密度高：抗电迁徙能力好于铝，铜合金中加入Al或Ti进一步增强抗电迁移；③更少的工艺步骤：采用大马士革方法，减少20%～30%；④易于沉积（铜CVD、电镀铜）；⑤铜的成本低。
缺点：①不能干法刻蚀铜；②铜在硅和二氧化硅中扩散很快，芯片中的铜杂质沾污使电路性能变坏；③抗腐蚀性能差；④粘附性差。
工艺措施：①采用大马士革工艺回避干法刻蚀铜；②采用电镀来满足大马士革工艺对间隙填充的要求；③用阻挡层金属（例如Ta）增强粘附阻挡扩散；④用金属钨做底层金属解决了器件的铜沾污。
（简答题）
简述铜互连的优点及采取的工艺措施。
正确答案
答案解析
略
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