（1）光学光刻（Photolithography）：使用光将几何图案从光掩模转移到位于基板上的光敏性“光致抗蚀剂”（或简称为“抗蚀剂”）上，其各部分作用为：
能量—引起（光）化学反应，调节抗蚀剂溶解速率；
掩模—阻挡能量传输到抗蚀剂的一些区域；
抗蚀剂—记录能量在掩模下的图案。
其中，光致抗蚀剂是辐射（UV、E、X-ray、Ions）敏感材料，按照暴露后溶解度的变化可将至分为：正性抗蚀剂（曝光区域的溶解性增加，如重氮萘醌等）和负性抗蚀剂（曝光区域的溶解性降低，如聚异戊二烯等）
（2）电子束光刻（Electron beam lithography）：将电子束（电子源：LaB6）以一定图案的形式在覆盖有膜（抗蚀剂）的表面进行扫描，之后在选择性地清除掉抗蚀剂（如PMMA）的暴露或未暴露区域。
（3）聚焦离子束光刻（Focused ion beam lithography）：用聚焦离子束（Ga）替换了电子束，离子束扫描基材表面并暴露电子敏感涂层。
（4）微接触印刷（Micro-contact printing，or μCP）：使用PDMS压模上的凸纹通过协调接触在基材表面上形成油墨的自组装单分子层（SAMs）图案。微接触印刷通过使用自组装（特别是使用SAM）以形成各种材料的微图案和微结构，这一特点区别于其它印刷方法。
（5）纳米压印（Nanoimprinting）：通过压印抗蚀剂（通常是在压印过程中通过热或紫外光固化的单体或聚合物）的机械变形和随后的工艺产生图案。
（6）成型光刻（Moldinglithography）：
（7）直写光刻（Direct write lithography）：机械沉积工艺可使用毛细管和“墨水”在表面上书写设计或图案。油墨可以由胶体或其他材料制成。
（8）扫描探针光刻（Scanning probe lithography，SPL）：深纳米尺度上的图案化。例如，可使用扫描隧道显微镜（STM）的尖端来操纵单个原子，而蘸笔纳米光刻（DPN）是基于原子力显微镜（AFM）的第一种商业可用的SPL技术。
经典DPN机制：分子油墨通过水半月板从纳米级尖端扩散到表面，分辨率为15nm乃至更高。DPN的两个基本方面：直写（将分子油墨直接写至表面上）、模版（写出图案以便创造或附加其他东西）。
（9）纳米球光刻（Nanosphere lithography）：
