（简答题）
在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度Na1=101610/cm3，硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/v˙s。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为
（填空题）
p电子微观态的简并度为（）
（简答题）
计算题：计算啤酒发酵度 某啤酒样品原麦汁浓度为11.075°P，检测外观浓度为1.641%，实际浓度为3.421%，请计算该啤酒样品的外观发酵度和实际发酵度。
（单选题）
对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
（简答题）
现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型 （3）计算这三个样品的费米能级的位置
（单选题）
压阻式压力传感器的二元件补偿法中，具有负灵敏度系数的N型硅条和正灵敏度系数的P型硅条应接入电桥的（）。
（判断题）
喷射混凝土中一定要掺入速凝剂。（）
（填空题）
在爆炸混合物中掺入惰性气体，随着惰性气体所占体积比例的增加，爆炸极限范围（）；惰性气体的浓度提高到某一数值，可使混合物不能爆炸。
（单选题）
在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
