对这三块材料分别计算如下：
即P型半导体的费米能级在禁带中线下0.37eV处
即对n型材料，费米能级在禁带中心线上0.35V处。
（简答题）
现有三个半导体硅样品，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为p01=2.25×1015/cm3，p02=1.5×1010/cm3，p03=2.25×104/cm3 （1）分别计算这三个样品的电子浓度 （2）判别这三个样品的导电类型 （3）计算这三个样品的费米能级的位置
正确答案
对这三块材料分别计算如下：
即P型半导体的费米能级在禁带中线下0.37eV处
即对n型材料，费米能级在禁带中心线上0.35V处。
答案解析
略
相似试题
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
在室温300K时，已知2CR21型硅光电池（光敏面积为5×5mm）在辐照度为100mW/cm2时的开路电压为Uoc=550mV，短路电流Isc=6mA。试求： （1）室温下，辐照度降到50mW/cm2时的开路电压与短路电流。 （2）用如图所示的偏置电路，其中Rf=24KΩ，若测得此时的输出电压Uo=1V，求此时光敏面上的照度。
（简答题）
在掺入硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温下电阻率为2.84Ω˙cm，已知所掺硼的浓度Na1=101610/cm3，硼的电离能Ea1-Ev=0.045eV，铟的电离能Ea2-Ev=0.16eV，求样品中铟的浓度。Nv=1.04×1019/cm3，μp=200cm2/v˙s。
（简答题）
有一半导体硅样品，施主浓度为ND=2×1014/cm3，受主浓度为NA=1×1014/cm3，已知施主电离能为ΔE0=0.05eV，试求：99%的施主杂质电离时的温度。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
