（简答题）
在室温300K时，已知2CR21型硅光电池（光敏面积为5×5mm）在辐照度为100mW/cm2时的开路电压为Uoc=550mV，短路电流Isc=6mA。试求： （1）室温下，辐照度降到50mW/cm2时的开路电压与短路电流。 （2）用如图所示的偏置电路，其中Rf=24KΩ，若测得此时的输出电压Uo=1V，求此时光敏面上的照度。 
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为：p01=2.25×1016cm-3，p02=1.5×1010cm-3，p03=2.25×104cm-3
（简答题）
某二极管在室温（300K）下的反向饱和电流为0.1pA，试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V之间变化时，二极管电流的变化范围。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
（简答题）
室温下，施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.30eV，Si的电子亲和能为4.05eV。已知，Nc=1019cm-3，k0T=0.026eV，ln1000=6.9。
