已知半导体InP具有闪锌矿结构,In,P两原子的距离为d=2Å,试求：（1）晶格常数；(2)原胞基矢及倒格子基矢；（3）密勒指数为（1，1，0）晶面的面间距，以及In(1,1,0)晶面与P（1，1，1）晶面的距离。

（简答题）

对比金刚石、闪锌矿、黄铜矿晶体结构的异同。

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（单选题）

p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。

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（简答题）

简述P型半导体。

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（填空题）

P型半导体导电的载流子为（）。

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（简答题）

简述P型和N型半导体载流子的形成。

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（简答题）

举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？

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（简答题）

n型与p型半导体内的载流子分别是什么？

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（判断题）

当温度达到一定时，P型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为耗竭。

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（简答题）

用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？

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