（单选题）
电子崩由于电子质量轻，运动速度快，绝大多数都集中在电子崩的（）
A尾部
B中部
C头部
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
电子崩中正离子的运动速度双自由电子慢，它滞留在产生时的位置缓慢向（）移动
（简答题）
在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求： （1）热运动速度平均值 （2）平均自由时间 （3）平均自由路程 （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度
（简答题）
描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念，用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。
（填空题）
由于电子束加热速度和冷却速度都很快，在相变过程中，奥氏体化时间很短，故能获得（）组织，这是电子束表面淬火最大特点。
（单选题）
电子计算机的发展过程中，体积不断缩小，速度不断提高，功能越来越多。由此可见（）
（判断题）
空气间隙中往两极发展的充满正负带电质点的混合等离子通道称为电子崩。
（填空题）
电子的共有化运动使得处于同一能级的电子状态发生微小的差异，由于其他原子核的吸引，形成多数新的靠得很近的能级，称之为（）
（填空题）
六氟化硫分子体积（），容易捕获电子并吸收其能量，生成低活动性的稳定负离子，在电场力的作用下，其自由程（），运动速度（），复合过程（）。
（填空题）
电极间隙越大，气体中离子和电子距电极的距离越大，因之受电场力作用减小，运动速度降低，动能降低，不易将中性分子击破，故需（）电压，才能跳火。
