（填空题）
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
（单选题）
材料的禁带宽度，最大的是（）
（简答题）
试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。
（单选题）
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
（判断题）
发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。
（填空题）
GaAs以及InP的禁带宽度分别为（）；（），与高效率最适合的1.4ev~1.5ev相近。
（单选题）
已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为（）。
（填空题）
通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。
（填空题）
为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的（）。
