（1）理想晶面的生长过程：到达电极上的离子先在平面位置上放电，成为吸附原子，然后扩散到生长点，编入晶格。每层晶面的长大是由生长点沿生长线一排排完成的。每层晶面长满后，生长点和生长线都消失了。新的一层晶面开始生长时，必须在已长满的一层完整晶面上形成二维晶核，以作为新晶面生长的起点。理想晶体就是这样按顺序一层层地长大的。
（2）实际晶面生长过程：绝大多数实际晶体在生长过程中并不需要形成二维晶核。由于实际晶体中总是包含大量的位错，如果晶面绕着位错线螺旋式生长，生长线就永远不会消失。沿着位错线生长是实际晶体的主要生长方式，这是因为该方式消耗能量少，不需要高的过电位而容易进行。
（简答题）
简述电结晶时理想晶面和实际晶面的生长过程。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
简述多晶沉积层的生长过程以及结晶形态与过电位的关系。
（简答题）
超声波为什么能够大大加速金属电沉积过程？
（单选题）
对于三端子反向阻断晶匣管，当在（）的微小脉冲信号时，从阳极到阴极就有电流通过。否则，没有电流通过。
（简答题）
金属结晶时，晶核的生成速度和成长速度与镀层结构有何关系？
（单选题）
电沉积法制备金属层时必须的设备是（）。
（单选题）
电镀金镍合金时，随着（），合金中含镍量急剧升高。
（简答题）
简述镀铬过程的特点
（简答题）
简述镀铬过程的特点。
（单选题）
铝合金硫酸阳极化其他条件不变时，提高硫酸浓度，则氧化膜生长速度（）。
