（填空题）
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
正确答案
MOSFET；GTO；IGBT
答案解析
略
相似试题
（简答题）
简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
（简答题）
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
（简答题）
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
（简答题）
GTR、P-MOSFET、IGBT吸收电路的基本结构如何？其减少被保护器件开关损耗的机理如何？
（填空题）
（）是融合了IGBT与GTO优点的一种新型电力电子器件。
（判断题）
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
（简答题）
GTR、IGBT等过流保护中，为何要采用检测集射极电压作为保护基准？
（填空题）
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
（简答题）
说明GTO的开通和关断原理。与普通晶闸管相比较有何不同？
