（判断题）
对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。
（判断题）
当晶体管的发射结和集电结都处于正偏状态时，晶体管一定工作在饱和区。（）
（填空题）
温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
（填空题）
晶体管穿透电流ICEO是反向饱和电流ICBO的（）倍，在选用晶体管的时候，一般希望ICBO尽量（）。
（填空题）
功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
（单选题）
晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）。
（简答题）
MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
（判断题）
三极管不仅具有电流放大作用，还具有开关特性，即可处于截止或饱和状态。
（简答题）
按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
