耗尽型：在VGS=0时导电沟道已经存在
增强型：当VGS正到一定程度才会导通
（简答题）
按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（判断题）
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
（单选题）
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
（单选题）
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
（判断题）
CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。
（判断题）
对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
（填空题）
铅蓄电池的极板群是将基板片并排焊接而成的，其中正极板群和负极板群的片数分别为（）
（简答题）
在可能发生有害气体的地下维护室或沟道内进行工作的人员，应做好哪些安全措施？
（判断题）
相同氧化数的不同卤素形成的含氧酸其酸性随元素电负性增加而增强
（判断题）
SiO2中5价的网络形成者可使结构强度增加，而3价的网络形成者可使结构强度减小。
