（判断题）
晶格热振动的加剧，金属和半导体的电阻率均随温度的升高而增大。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
（简答题）
在考虑晶格振动对晶体热容的贡献时，爱因斯坦模型和德拜模型分别是怎样的？并定性说明二者的结果。
（填空题）
碳化硅（SiC）是一种常见的半导体材料，当产生晶格振动时，会形成（）支声学支格波和（）支光学支格波。
（简答题）
对晶格热振动进行正则坐标变换的意义是什么？根据量子力学，线性谐振子的能量表达式是什么？
（填空题）
根据经典的能量均分定律，固体晶格振动热容在高温时趋近（），与温度无关；低温时偏离增大，与温度的（）成正比。
（简答题）
解释何为晶格热振动、格波和色散关系？何为简谐近似和非简谐近似？如何界定连续介质和非连续介质？色散关系式的个数如何确定？色散与非色散介质中格波的相速度和群速度有何差异？
（填空题）
在处理与热振动能量相关的一类问题时，往往把晶格点阵的集体振动，等效成若干个不同频率的互相独立的简正振动的叠加。而每一种频率的简正振动的能量都是量子化的，其能量量子（q）就称为（）。
（填空题）
讨论晶格振动时，采用了（）近似和（）近似。
（填空题）
热量是依晶格振动的格波来传递的，格波分为（）和（）两类。
