（判断题）
绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
绝缘良好的电气设备，其tgδ值随电压的升高而（）。
（单选题）
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（）。
（单选题）
绝缘试验时，tgδ随温度的增加而（）。
（判断题）
绝缘试验时，tgδ随温度的增加而减小。
（填空题）
绝缘体有缺陷时，其介损tgδ将随试验（）升高而变（）。
（判断题）
当tgδ随温度增加明显增大或试验电压从10kV升到Um/√3，tgδ增量超过±0.3%时，不应继续运行。
（单选题）
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（判断题）
测量绝缘介质损tgδ能反映绝缘本身状态，同时又能反映绝缘由良好状态向劣化状况转化过程。
（单选题）
按南网“预试”要求断路器的油纸绝缘并联电容器在10kV试验电压下的tgδ值（）
