（判断题）
绝缘试验时，tgδ随温度的增加而减小。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
绝缘试验时，tgδ随温度的增加而（）。
（填空题）
绝缘体有缺陷时，其介损tgδ将随试验（）升高而变（）。
（判断题）
绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
（判断题）
当tgδ随温度增加明显增大或试验电压从10kV升到Um/√3，tgδ增量超过±0.3%时，不应继续运行。
（单选题）
若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1＝5%，C1＝250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2＝0.4%，C2＝10000pF，则设备整体绝缘试验时，其总的tgδ值与（）接近。
（填空题）
绝缘良好的电气设备，其tgδ值随电压的升高而（）。
（判断题）
一般情况下，变压器绝缘的吸收比随温度的增加而减小。
（判断题）
现场用QSI型西林电桥测量设备绝缘的tgδ，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tgδ值大。
（简答题）
为什么介质的绝缘电阻随温度升高而减小，金属材料的电阻却随温度升高而增大？
