静态MOS存储器利用一个双稳态触发器存储一个二进制位，只要不断电就可以保持其中存储的二进制数据不丢失。
动态MOS存储器使用一个MOS管和一个电容来存储一位二进制信息。用电容来存储信息减少了构成一个存储单位所需要的晶体管的数目。
由于动态MOS存储器中的电容会产生漏电，因此DRAM存储器芯片需要频繁的刷新操作。
动态存储器的刷新方式通常有：
集中式刷新方式、分散式刷新方式、异步式刷新方式。
（简答题）
静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
（单选题）
与动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的特点是（）
（单选题）
与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。
（多选题）
静态MOS型随机存储器的优点包括（）。
（简答题）
MOS型半导体随机存储器可分为哪两种？
（填空题）
用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）
（判断题）
由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
（填空题）
MOS型半导体随机存储器可分为（）和（）两种，后者在使用过程中每2ms内要刷新一次。
（单选题）
掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。
