（判断题）
用正接线法测量绝缘介损一定比反接法测量的介损值要大。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。
（判断题）
在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
（判断题）
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
（判断题）
测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
（判断题）
用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
（判断题）
在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
（判断题）
采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
（简答题）
图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。
（单选题）
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。
