（单选题）
悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。
A3ｍｉｎ
B5ｍｉｎ
C7ｍｉｎ
D10ｍｉｎ
正确答案
答案解析
略
相似试题
（简答题）
简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
（单选题）
悬浮区熔的优点不包括（）
（判断题）
总悬浮颗粒物含量过高或雾天采样使滤膜阻力大于10kpa时，不宜采用重量法测定总悬浮颗粒物（）
（填空题）
单纯形法中基变量的检验数一定为（）
（单选题）
一般三级处理能够去除（）的BOD、磷、悬浮固体和细菌。
（单选题）
要控制焊缝磷的含量，主要是严格控制（）中的磷含量。
（填空题）
比色法测定二氧化硅含量时，样品中若有少量磷存在，可加入（）消除其干扰。如有大量氟存在，可加入（）消除其影响，大量铁存在时必须（）。
（填空题）
按钢中硫、磷含量划分，可将钢分为（）、（）和（）
（简答题）
为什么要控制钢中的硫与磷含量？
