(简答题)
简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
正确答案
利用硅熔体中杂质的分凝效应和蒸发效应,在真空条件下,在硅棒上建立一个熔区,熔区温度为1410℃,并使之从一端移至另一端,以达到提纯和控制杂质的目的。
答案解析
略
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(单选题)
悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
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悬浮区熔的优点不包括()
(单选题)
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(单选题)
一般三级处理能够去除()的BOD、磷、悬浮固体和细菌。
(单选题)
多晶硅的生产方法主要包含:()1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法
(单选题)
多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法
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