首页学历类考试大学理学
(简答题)

以在P型材料形成的PN结为例,简述光生伏特效应?

正确答案

利用扩散掺杂的方法, 在 P 型半导体的表面形成一个薄的 N 型层, 在光的照射下, 在 PN 结及其附近产生大量的电子和空穴对,在 PN 结附近一个扩散长度内,电子-空穴对还没有复合就有可能通过扩散达到 PN 结的强电场区域(PN 结自建电场), 电子将运动到 N 型区, 空穴将运动到 P 型区,使 N 区带负电、 P 区带正电,在上下电极产生电压 —— 光生伏特效应。

答案解析

相似试题

  • (简答题)

    简述P型和N型半导体载流子的形成。

    答案解析

  • (单选题)

    用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

    答案解析

  • (单选题)

    用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

    答案解析

  • (单选题)

    简述光生伏特效应中正确的是()

    答案解析

  • (单选题)

    对于概率矩阵P,当n→∞时,Pn称之为P的()

    答案解析

  • (简答题)

    简述P型半导体。

    答案解析

  • (单选题)

    p型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称受主能级),在能带结构中应处于()。

    答案解析

  • (简答题)

    PN结是如何形成的?它具有什么特性?

    答案解析

  • (简答题)

    以在Ge半导体掺入As为例,简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近?

    答案解析

快考试在线搜题