(填空题)
PN结的掺杂浓度越高,雪崩击穿电压越();结深越浅,雪崩击穿电压就越()。
正确答案
答案解析
略
相似试题
(填空题)
由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。
(判断题)
火花塞间隙越大,所需击穿电压就越高。
(简答题)
简述PN结反向电压—电流特性;反向饱和电流及方向;PN结的电压—电流特性。
(填空题)
反向偏置pn结,当电压升高到某值时,反向电流急剧增加,这种现象称为pn结击穿,主要的击穿机理有两种:()击穿和()击穿。
(单选题)
为了实现均匀倍增,雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求()。
(判断题)
CD越小,源漏结的掺杂区越深。
(简答题)
PN结的寄生电容有几种,形成机理,对PN结的工作特性及使用的影响?
(填空题)
PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()特性。
(填空题)
整流二极管的整流作用是利用PN结的()特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的()特性。