（简答题）
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
正确答案
离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成；损伤晶体空位密度大于非损伤晶体，且存在大量间隙原子和其他缺陷，使扩散系数增大，扩散效应增强；故，虽然热退火温度低于热扩散温度，但杂质的扩散也是非常明显的，出现高斯展宽与拖尾现象。
答案解析
略
相似试题
（填空题）
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
（单选题）
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
（单选题）
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
（填空题）
离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。
（填空题）
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（简答题）
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
（简答题）
什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？
（简答题）
下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
（判断题）
低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
