首页技能鉴定其他技能集成电路制造工艺员
(单选题)

降低靶的温度,有利于非晶层的形成,所以临界注入量随之()。

A增大

B减小

C不变

D变为0

正确答案

来源:www.examk.com

答案解析

相似试题

  • (多选题)

    对于非晶靶,离子注入的射程分布取决于()。

    答案解析

  • (单选题)

    我们可以通过简单的结深测量和()测量来获得扩散层的重要信息。

    答案解析

  • (多选题)

    ()的方法有利于减少热预算。

    答案解析

  • (单选题)

    由于水中阴阳离子都有导电能力,所以水的()越高,水中离子数就越少。

    答案解析

  • (多选题)

    哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量:()。

    答案解析

  • (单选题)

    光刻工艺中,脱水烘焙的最初温度是()。

    答案解析

  • (单选题)

    人类的职业道德真正形成于()。

    答案解析

  • (多选题)

    扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。

    答案解析

  • (单选题)

    多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

    答案解析

快考试在线搜题