（单选题）
在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。
A选相倒相法：正、反相测得值的差别较大，有时可达±50%及以上
B外加反干扰电源补偿法：补偿电源与干扰信号间的相位有不确定性
C变频测量方法：测量的稳定性、重复性及准确性较差
正确答案
答案解析
略
相似试题
（单选题）
在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。
（判断题）
现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。
（判断题）
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
（单选题）
现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步，电桥测量无法平衡时，应采用的正确方法是（）。
（简答题）
测量小容量试品的介质损耗因数时，为什么要求高压引线与试品的夹角不小于90°？
（简答题）
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
（多选题）
在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。
（单选题）
用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。
（判断题）
对高压电容式绝缘结构的试品，不仅要监测其绝缘介质损耗因数，还要监测其电容量的相对变化。（）
