（填空题）
多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用（）的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
正确答案
答案解析
略
相似试题
（填空题）
由于线切割面是被机械冲击过，因此会残留结晶变形，使电气特性变坏，因此需用HF+HNO3进行腐蚀，使表面（）的程度。
（填空题）
结晶硅具有（）型能带结构，因此吸收系数较小，有必要进行封闭，活性层的厚度为数μm的薄膜太阳能电池也可得到高的转换效率。
（填空题）
同质多晶是指（）。油脂中常见的同质多晶有（）种，其中以（）型结晶结构最稳定。（）型的油脂可塑性最强。
（判断题）
谷氨酸结晶具有多晶型性质，分为α-型结晶和β-型结晶，其中是β-型结晶等电提取的理想结晶。
（填空题）
结晶硅的理论极限为（），其研究阶段为（），大量生产规模为18%—20%。
（单选题）
用已加工过的表面作为基准面是（）
（单选题）
车削时，刀具与已加工表面相对的面是（）；
（单选题）
切削时，刀上与工件加工表面相对应的面是（）
（判断题）
可以用浓硫酸刻蚀晶硅表面。
