(判断题)
侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
A对
B错
正确答案
答案解析
略
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(判断题)
晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术,一次掺杂成功。
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