A烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C烘烤的温度一般在300℃左右
D烘烤的时间越长越好
（多选题）
下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
答案解析
关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。
关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。
下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。
有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。
按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。
（单选题）
涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
