（1）反应气体向基片表面扩散：
（2）反应气体吸附于基片的表面，
（3）在基片表面上发生化学反应；
（4）在基片表面上产生的气相副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽走，在基片表面留下不挥发的固体反应产物——薄膜。
但任何CVD所用的反应体系，都必须满足以下三个条件：
（1）在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸气压.要保证能以适当的速度被引入反应室；
（2）反应产物除了所需要的沉积物为固态薄膜之外，其他反应产物必须是挥发性的；
（3）沉积薄膜本身必须具有足够低的蒸气压，以保证在整个沉积反应过程中都能保持在受热的基体上；基体材料在沉积温度下的蒸气压也必须足够低。
（简答题）
CVD法的过程和细节分别是什么？
正确答案
答案解析
略
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